مدل سازی انتقال کوانتومی در قطعات نیمه هادی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده سارا فلاحتگر
- استاد راهنما حمید رحیم پور سلیمانی سعید باطبی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
مدل سازی و تحلیل لیزر نیمه هادی نقطه کوانتومی
در این رساله لیزر نیمه هادی مخابراتی مبتنی بر نقاط کوانتومی خود سامان یافته ناهمگون in1-xgaxas/gaas با در نظر گرفتن حالت های پایه ، برانگیخته ، پیوستار و وتینگ و لحاظ کردن اثرات ساختاری ناشی از فرآیند ساخت نظیر پهن شدگی غیر همگن بهره ، و محیطی نظیر درجه حرارت و پهن شدگی همگن ، با استفاده از شکل دقیق معادلات نرخ، تحلیل و رفتار لیزر مدل سازی می شود. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که با انتخا...
15 صفحه اولتشخیص الگوهای غیرطبیعی در فرآیند ساخت قطعات نیمه هادی با استفاده از شبکه های عصبی
در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...
متن کاملمدل سازی قطعات نیمه هادی و زیرمدارها با استفاده از شبکه های هوشمند فیدبک دار
امروزه شبکه های هوشمند مصنوعی به عنوان ابزاری قدرتمند در بهینه سازی و مدل سازی قطعات و مدارهایالکترونیکی به خصوص مدارات مجتمع (ic) و پیچیده، به حساب می آیند. در واقع این شبکه ها حتی اگر مدار معادل و معادلات فیزیکی قطعه در دسترس نباشد، می توانند به کار روند.در این تحقیق میزان تطبیق پذیری ساختار شبکه های عصبی فیدبک دار را در مدل سازی رفتار غیرخطی ترانزیستورهای ماسفت بررسی کرده و به یک مدل ماسفت ه...
محاسبه ظرفیت خازنی ساختارهای مختلف نیمه هادی و کاربرد آن در قطعات نیمه هادی تک الکترونی
در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکتر...
15 صفحه اولنیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023